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中国SiC衬底企业弯道超车,又一碳化硅半导体企业获A轮融资
发布日期:2024-11-05 13:34    点击次数:127

近日,成都粤海金半导体材料有限公司(以下简称“粤海金半导体”)完成A轮融资,投资方为天德投资。

粤海金半导体是中国民营500强高金富恒集团旗下专门从事碳化硅半导体材料研发与生产的产业化公司,目前旗下有山东东营产业化基地和北京研发中心两大核心板块。

目前主要产品为6英寸导电碳化硅衬底片,同时致力于更大尺寸的导电型衬底片/半绝缘型衬底片的工工艺研发。

值得一提的是,粤海金半导体的核心团队成员大多拥有在天科合达的工作经验,涵盖了晶体设备、晶体生长、晶体加工及检测等多个专业领域。

自2022年9月以来高金富恒已陆续投资超过6亿元,对北京研发中心、山东生产基地进行技术升级和扩能改造。

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难抵中国冲击,全球碳化硅龙头持续亏损

众所周知,在全球推动节能减排、碳中和的大趋势之下,具有高功率、高频率、耐高压、耐高温等特性的碳化硅材料,已经成为电动汽车、可再生能源系统、电池储能系统、人工智能和数据中心的高功率硅基器件的卓越替代品,其不仅可提高性能、降低能耗、缩小系统尺寸,还可降低系统的综合成本。

根据市场研究机构的Yole Intelligence在Power SiC 2022报告中提供的数据显示:SiC器件市场预计将持续增长,2021年至2027年的复合年增长率将超过30%,2027年将超过60亿美元,预计汽车市场将占该市场的80%左右。

作为全球碳化硅市场的龙头大厂,Wolfspeed(前身Cree)成立于 1987 年,总部位于美国北卡罗来纳州,1987年就建立第一条碳化硅商用生产线,开启了碳化硅的商用时代,从那时起Wolfspeed就一直是碳化硅技术的全球领导者。

目前Wolfspeed仍是世界上最大的碳化硅技术生产商,主要对外供应碳化硅衬底和碳化硅器件。

但是随着近年来越来越多的厂商开始涉足碳化硅市场,并持续扩大生产,使得碳化硅市场出现了供过于求的现象,这也导致了碳化硅价格持续下跌。特别是随着中国碳化硅厂商的产能的持续扩大,碳化硅衬底的价格下滑速度远超过市场扩张的速度。

业内人士观察称,这几年中国在碳化硅研发技术上突飞猛进,所生产出的基板在导通电阻等规格上,甚至超越了Wolfspeed的规格,因此造成碳化硅基板价格大幅下降。

“去年初,中国厂商供应的6英寸碳化硅基板采购价格还在1000美元左右,现在只有500多美元”。而6英寸碳化硅晶圆的代工价格,也已降至每片1,200至1,800美元左右,较两年多前每片4000美元左右的代工价格已经暴跌了70%。

Yole资深分析师Chiu Poshun表示,包括天科合达、山东天岳和瀚天天成等中国大陆碳化硅衬底厂商,是这一波价格战中最积极的公司。2023年时全球碳化硅基板供应量为170万片,但仅天科合达去年底产能估计达16万片6英寸晶圆,今年将开始生产8英寸碳化硅晶圆;山东天岳到2026年时,产能将达到30万片6英寸晶圆,也将开始生产8英寸碳化硅晶圆。

Chiu Poshun表示,在市场竞争持续加剧之下,Wolfspeed在碳化硅材料及外延材料的市占率,于2023年已经分别降至了33%和37%。

除了供应碳化硅衬底之外,Wolfspeed也直接销售自己的碳化硅功率器件。而碳化硅衬底价格和碳化硅晶圆代工价格的持续下滑,也直接导致了碳化硅器件价格承压。特别是对于Wolfspeed来说,其现有的商业模式还存在着与客户(采购其碳化硅材料来开发自己的器件的厂商)竞争的问题,这也进一步导致了其在碳化硅材料和器件市场的被动。

TrendForce的数据显示,在2023年的全球碳化硅功率器件市场,Wolfspeed的市场份额仅11.1%,远低于意法半导体、英飞凌等竞争对手。

而且意法半导体、英飞凌等功率器件大厂还在持续扩大自有的碳化硅产能的同时,还在加强与中国碳化硅厂商的合作,以助力其拓展中国市场——全球最大的电动汽车市场——全球最大的碳化硅消费市场。比如在2023年5月,英飞凌就与天岳先进签订供货协议,将向其采购150毫米碳化硅衬底和晶棒;意法半导体在2023年6月,宣布与三安光电合作,共同投资32亿美元在重庆合资建8英寸碳化硅器件工厂。

显然,在碳化硅市场竞争持续加剧,碳化硅需求不足(总需求在增长,但被更多的厂商瓜分了)、价格持续下跌的背景之下,Wolfspeed的业绩也是持续亏损,并且其庞大的8英寸碳化硅产能建设计划也严重拖累了其业绩和现金流。

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国内碳化硅半导体产业弯道超车

方正微电子8英寸碳化硅产线年底通线

近日,方正微电子副总裁/产品总经理彭建华透露,公司8英寸碳化硅产线将于2024年年底通线。

当前方正微电子有两个Fab。其中,Fab1已实现6英寸碳化硅晶圆9000片/月的生产能力,到2024年底,这一数字预计将增长至每月1.4万片。彭建华还表示,2025年公司将具备年产16.8万片车规级碳化硅MOS的生产能力。此外,Fab1还负责生产氮化镓晶圆,目前月产能为4000片。

Fab2的8英寸碳化硅晶圆生产线将于2024年底通线,长远规划产能6万片/月。

资料显示,方正微电子是国内第一批进入6英寸碳化硅器件领域进行制造工艺研究开发的厂商之一,其在深圳规划的第三代半导体产业化基地建设项目则计划建设生产线及配套建筑和设施,预计总投资115.4亿元,是广东2023半导体重点建设项目。

山西华芯半导体晶体材料产业基地二期基建完成

近日,据太原日报报道,山西第三代半导体产业链强链工程之一山西华芯半导体晶体材料产业基地二期项目基建竣工,设备即将进场安装。

山西华芯半导体晶体材料产业基地负责人介绍,项目全部达产后,可实现年产720万片半导体晶片衬底,实现中高端半导体化合物材料覆盖。

资料显示,山西华芯半导体晶体材料产业基地项目是山西省重点工程,该项目集半导体晶体材料的研发、加工、销售于一体,分两期建设。其中一期已于2022年建成投产,二期项目主要用于多种半导体化合物材料的研发、生产及加工,将布局大尺寸蓝宝石生长加工项目、第三四代半导体化合物晶体研发、生长及晶体加工项目。

天科合达碳化硅衬底基地二期项目完成备案

10月12日,据“北京市生态环境局”披露,由北京天科合达半导体股份有限公司负责投建的第三代半导体碳化硅衬底产业化基地二期项目已完成备案,环评审批现已公示。

公告披露,该项目位于北京市大兴新城东南片区,计划建设包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备,新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心,以及相关配套设施,投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底,其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片,8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。

晶驰机电SiC外延设备项目将投产

10月12日,据“正定发布”官微消息,晶驰机电半导体材料装备研发生产项目正加速推进建设进度,有望在10月下旬投产。

据悉,该项目于今年7月落地河北正定县,项目总投资2亿元,分两期建设,一期建设计划时间为2025年—2026年。项目以金刚石设备与碳化硅外延设备为产品核心,专注于第三代和第四代半导体材料装备的研发、生产。

目前,该项目已经完成了厂房的基本改造,展厅的搭建、办公室的搭建以及净化生产车间的搭建。据项目项目负责人介绍,下一步,将加快建设进度,争取在十月下旬正式投产。

资料显示,晶驰机电成立于2021年7月,其总部与研发中心位于杭州市浙江大学杭州国际科创中心,致力于碳化硅、金刚石、氮化铝、氧化镓等第三、四代半导体材料装备的研发、生产、销售。

碳化硅走向“8英寸”

芯联集成8英寸碳化硅工程批在4月份顺利下线。三安光电在6月份与意法半导体计划投资32亿美元,在重庆共同建设一座新的8英寸碳化硅器件合资制造工厂;9月,重庆三安项目(系8英寸碳化硅衬底配套工厂)实现衬底厂的点亮通线。此外,天岳先进和天科合达均在推进各自的8英寸碳化硅衬底扩产计划。



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